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UNITY™ Me+按腔体提供氧化硅、氮化硅与硅、碳化硅工艺，DRM和UD覆盖100至200mm，SCCM™对应200mm配置，2021年完成平台更新。
从氧化物接触孔到硅和SiC沟槽，UNITY™ Me+通过不同工艺腔分别承担加工任务。平台可组合1—4个腔室，整体覆盖100、150和200 mm晶圆配置。
介质方向有SCCM™与DRM。SCCM™产品配置对应200 mm，DRM覆盖100、150和200 mm；硅及SiC方向的UD同样具有这三种尺寸配置，工艺表包括沟槽、回刻与TSV。
平台对不同材料和工序进行模块化划分，气体反应、晶圆处理和相应腔体各自配套。玻璃及部分化合物基材也有相应模块的处理记录。
2021年的Me+更新延续UNITY™ Me应用基础，形成200 mm及以下晶圆的后继平台。模块和尺寸的明确对应，是其整机产品信息的重要组成部分。
TEL UNITY™ Me+核心信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 平台尺寸覆盖 | 100 / 150 / 200 mm，依腔体配置 |
| 平台腔数 | 1—4个 |
| 介质模块 | DRM、SCCM™等 |
| 介质材料方向 | SiO₂、SiN等 |
| 沟槽方向 | Si / SiC，需相应工艺腔 |
| 版本背景 | UNITY™ Me后继平台，2021年更新 |
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