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TEL Certas LEAGA™处理300mm晶圆,以无等离子体气相化学完成各向同性刻蚀,覆盖氧化物去除、接触前清洗及精确凹蚀,最多6个双片腔。
Certas LEAGA™是300 mm气相化学刻蚀平台,不依赖等离子体,也不使用液体。它通过化学反应完成各向同性材料去除和界面清洗,避免液体处理中的水印问题。
主要工序包括硅接触形成前预清洗、氧化物去除与回刻、三维高深宽比结构中的选择性刻蚀,以及精确凹蚀。对不同SiO₂膜层的选择性和界面控制,是这款产品的技术重点。
双片工艺腔
平台可安装最多6个双片处理腔。工艺单元按任务配置,在同一主机上组织表面处理和选择性去除。
它与强调方向性图形转移的等离子RIE具有不同工艺定位,核心是无等离子体化学反应、各向同性处理和三维结构中的材料选择性。
TEL Certas LEAGA™核心信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 晶圆尺寸 | 300 mm |
| 刻蚀方式 | 无等离子体气相化学刻蚀 |
| 处理特点 | 无液体;各向同性工艺 |
| 平台腔数范围 | 1—6个 |
| 腔体设计 | 双片处理 |
| 主要应用 | 接触前清洗、氧化物回刻、选择性刻蚀及凹蚀 |

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