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Trias e+ W将钨成核与主体钨膜原位沉积结合，兼顾孔内覆盖与填充。了解东京电子300mm钨CVD平台的WF₆路线、温控及清洗设计，提供二手设备配置对接。
接触塞和通孔中的钨填充，要同时考虑孔内覆盖与主体膜生长。东京电子Trias e+ W通过SFD及CVD分工处理这两段流程，在同一原位工艺中完成成核和主体钨膜沉积。
TEL Trias e+™ W核心数据
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 制造商及型号 | TEL Trias e+™ W |
| 晶圆尺寸 | 300mm |
| 主要薄膜 | 钨（W） |
| 前驱体 | WF₆ |
| 工艺组合 | SFD成核与CVD主体膜原位沉积 |
| 温控特点 | 晶圆快速升温及冷却 |
| 腔室维护 | 无等离子体清洗技术 |
| 代表工艺 | 接触塞、通孔填充 |
成核之后再完成主体填充
初始钨层需要在结构内部建立连续生长条件，随后CVD增加钨膜体积。WF₆供源路线配合300mm单片反应器，构成这款设备的主要工艺基础。
平台的快速温控负责缩短升降温等待，腔室则通过无等离子体清洗管理沉积残留。薄膜、热过程和清洗共同组成完整的设备运行流程。
我们提供二手Trias e+ W整机，按钨CVD设备对应供源、腔室及附属单元，适合与已有接触及互连填充工艺衔接。
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