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TEL Trias e+ Ti/TiN是300mm单片金属CVD设备，以TiCl₄相关工艺形成钛与氮化钛薄膜。SFD工艺结合覆盖能力与沉积效率，适合接触结构等薄膜制备环节。
钛与氮化钛薄膜常出现在接触结构和相关金属膜层中。Trias e+ Ti/TiN围绕这些薄膜提供300mm单片CVD平台，重点管理接触界面、膜层覆盖及工艺重复性。
TEL Trias e+™ Ti/TiN核心数据
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 品牌及型号 | TEL Trias e+™ Ti/TiN |
| 晶圆尺寸 | 300mm |
| 设备类型 | 单片金属CVD |
| 主要膜种 | Ti、TiN |
| 前驱体路线 | TiCl₄相关工艺 |
| TiN工艺特点 | SFD，兼顾覆盖与沉积效率 |
| 代表方向 | 接触结构、电极及相关金属膜层 |
TiCl₄路线与SFD TiN
设备以TiCl₄相关工艺形成Ti/TiN薄膜。对于高深宽比接触孔，膜层需要覆盖孔口、侧壁和底部，单纯增加顶部膜厚并不能替代孔内覆盖。原厂SFD TiN工艺将顺序反应的覆盖特点与CVD效率结合，回应这类结构的沉积要求。
不同钛和氮化钛工艺由相应模块承担，平台负责晶圆传送与模块衔接。钛与氮化钛工艺的具体组合，可配合接触层和相关金属膜层的生产顺序。
Ti与TiN模块的配置需要与所需膜层及工艺顺序配合，使接触界面和覆盖要求在同一流程中落实。
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