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东京电子TELINDY PLUS™ IRad™薄膜沉积设备

东京电子TELINDY PLUS™ IRad™薄膜沉积设备

低温薄膜生长与批式处理在TELINDY PLUS IRad平台结合。设备通过等离子辅助ALD制备氮化硅、氧化硅等薄膜,原厂最大批量125片,强调温度、膜质及损伤控制。

产品详情

先进器件对温度的限制,使传统热反应工艺需要寻找新的低温路径。TELINDY PLUS IRad将等离子体源集成到300mm批式平台,以等离子辅助ALD支持氮化硅、氧化硅等薄膜生长。

TEL TELINDY PLUS™ IRad™核心数据

项目内容
品牌型号TEL TELINDY PLUS™ IRad™
晶圆尺寸300mm
平台类型等离子辅助批式ALD
原厂最大装载125片
主要工艺方向低温ALD SiN、SiO₂
反应环境管理等离子体控制、干气清洗

批处理结构中的反应活化

晶圆仍按批次处理,等离子体则参与膜层形成过程,扩展原有热平台的低温工艺空间。反应活性、膜质与器件损伤需要同时管理,因此设备不仅增加等离子体源,也配套相应控制与清洗设计。

原厂最大批容量为125片,批式装载配合相应工艺运行。原位干气清洗帮助维持反应环境,减少沉积残留对后续批次的影响。对于低温介质膜需求,IRad的价值在于将ALD反应能力与批式处理规模结合。

东京电子TELINDY PLUS IRad 300mm批式沉积平台

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