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低温薄膜生长与批式处理在TELINDY PLUS IRad平台结合。设备通过等离子辅助ALD制备氮化硅、氧化硅等薄膜,原厂最大批量125片,强调温度、膜质及损伤控制。
先进器件对温度的限制,使传统热反应工艺需要寻找新的低温路径。TELINDY PLUS IRad将等离子体源集成到300mm批式平台,以等离子辅助ALD支持氮化硅、氧化硅等薄膜生长。
TEL TELINDY PLUS™ IRad™核心数据
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 品牌型号 | TEL TELINDY PLUS™ IRad™ |
| 晶圆尺寸 | 300mm |
| 平台类型 | 等离子辅助批式ALD |
| 原厂最大装载 | 125片 |
| 主要工艺方向 | 低温ALD SiN、SiO₂ |
| 反应环境管理 | 等离子体控制、干气清洗 |
批处理结构中的反应活化
晶圆仍按批次处理,等离子体则参与膜层形成过程,扩展原有热平台的低温工艺空间。反应活性、膜质与器件损伤需要同时管理,因此设备不仅增加等离子体源,也配套相应控制与清洗设计。
原厂最大批容量为125片,批式装载配合相应工艺运行。原位干气清洗帮助维持反应环境,减少沉积残留对后续批次的影响。对于低温介质膜需求,IRad的价值在于将ALD反应能力与批式处理规模结合。


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