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4420刻蚀机的工艺覆盖硅薄膜、氮化硅及部分选定材料,化学反应和表面反应产物共同参与方向性控制,主要定位为多晶硅刻蚀。
多晶硅和氮化硅是4420的主要加工方向。它通过平行板等离子工艺,将掩膜开口转移至目标膜层,并由化学体系影响侧壁及材料选择性。
该机型的上电极受电放电,以较强的化学刻蚀作用建立工艺。反应产物和聚合物在表面的形成、保留与再沉积,参与抑制侧向去除,从而调节轮廓。
实际使用记录还包括光刻胶修整与Descum残胶处理。氧气体系承担这类有机材料处理,与硅薄膜刻蚀对应不同配方。
4420因此具有清楚的多晶硅刻蚀定位,也包含氮化硅和相关配方应用。工艺腔、气路及控制程序共同提供这些处理条件。
LAM RAINBOW 4420核心信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 制造商 | Lam Research |
| 系列 / 型号 | RAINBOW / 4420 |
| 主要工艺方向 | 多晶硅、氮化硅刻蚀 |
| 反应结构背景 | 平行板等离子工艺腔 |
| 相关应用记录 | 光刻胶修整、残胶处理 |
| 主要评价项目 | 轮廓、均匀性、选择比及下层损耗 |

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