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LAM TCP 9400以高密度感应耦合等离子体刻蚀硅和多晶硅，两路独立射频分别控制源与载片台，具有多晶硅栅及薄氧化层选择性加工背景。
TCP 9400主要刻蚀单晶硅和多晶硅，具有多晶硅栅图形加工背景。TCP即变压器耦合等离子体，其平面源线圈通过感应耦合激发工艺气体，形成高密度放电。
两路独立射频分别控制等离子体源与载片台。源功率负责放电产生，载片台功率调节晶圆表面的离子作用，使等离子体产生与表面能量具有不同控制路径。
单片处理与栅极工艺
晶圆从料盒自动装载，以单片方式进入工艺腔。多晶硅栅刻蚀的应用背景包括对薄栅氧化层的高选择性，气体体系有含氯、含溴硅刻蚀路线。
9400因此以硅层图形、等离子体源控制和选择性加工为主要特点。其技术结构与DSiE深硅版本具有产品继承关系，但加工方向按具体配置区分。
LAM TCP 9400核心信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 制造商 | Lam Research |
| 型号 | TCP 9400 |
| 等离子体源 | TCP变压器耦合，高密度等离子体 |
| 主要材料 | 硅、多晶硅 |
| 功率控制特点 | 源功率与载片台功率分别调节 |
| 应用背景 | 硅薄膜及多晶硅栅刻蚀 |
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