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LAM ALLIANCE 9400 DSiE以高密度TCP源进行深硅反应离子刻蚀，应用涉及MEMS、先进封装和功率器件，原位腔体清洁支持工艺稳定。
9400 DSiE从TCP 9400硅刻蚀产品发展而来，针对深硅反应离子刻蚀。原厂列出的应用背景包括MEMS、先进封装和功率半导体，工艺对象为硅内部的深结构。
专利TCP高密度等离子体源为深硅加工提供反应环境，气体化学、源功率和晶圆表面作用共同组成处理条件。DSiE以深硅应用为方向，区别于普通9400的硅薄膜任务。
原位腔体清洁
原厂产品资料把原位腔体清洁列为支持刻蚀速率稳定的技术。清洁步骤在腔内进行，与生产处理形成工艺管理关系，减少腔体状态随使用变化对加工的影响。
ALLIANCE平台连接晶圆传送和工艺模块。9400 DSiE腔承担深硅刻蚀，平台围绕实际模块组织整机运行。
LAM ALLIANCE 9400 DSiE核心信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 平台 | ALLIANCE |
| 工艺配置 | 9400 DSiE |
| 主要方向 | 深硅刻蚀 |
| 典型应用 | MEMS硅结构加工 |
| 技术背景 | TCP高密度等离子体 |
| 平台结构 | 集群平台与工艺模块组合 |
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