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二手ASML XT:760F采用248nm KrF光源和步进扫描方式，适配300mm晶圆平台。双工作台使测量、对准与曝光交替进行，设备以130nm公布分辨率承接相应工艺层。
XT:760F在KrF工艺中承担扫描曝光，激光波长为248 nm。它将光源、投影镜头、掩模扫描和晶圆定位结合在TWINSCAN平台内，按曝光场逐步完成整片晶圆图形转移。
300 mm双工作台结构
晶圆测量与曝光分布在两个工作位置：待曝光晶圆先完成对准及表面测量，另一片晶圆同时进行曝光。随后工作台交换功能，进入下一个处理周期。
原厂为XT:760F公布的分辨率是130 nm。实际工艺还涉及掩模图形、照明方式、光刻胶和剂量条件，设备运行通过这些条件共同完成所需图形。
扫描与步进动作
掩模台与晶圆台在曝光场内同步运动，完成一场后再步进到下一位置。激光脉冲、扫描动作和剂量控制共同配合，按晶圆版图逐场曝光。
XT:760F核心数据
| 项目 | 参数或配置 |
|---|---|
| 曝光光源 | KrF准分子激光 |
| 波长 | 248 nm |
| 曝光方式 | 步进扫描 |
| 晶圆平台 | 300 mm |
| 公布分辨率 | 130 nm |
| 工作台结构 | TWINSCAN双工作台 |
| 最大NA | 0.70 |
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