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ASML XT:1900Gi采用193nm ArF浸没曝光,最大NA为1.35,处理300mm晶圆。折反射式投影镜头配合偏振照明与双工作台,适合需要高NA成像的相应关键层光刻。
1.35 NA是XT:1900Gi的关键光学参数。它使用193 nm ArF激光,在投影镜头与晶圆之间引入浸没液,配合折反射式镜头形成高数值孔径曝光条件。
高NA与偏振照明
较高数值孔径与相应照明条件共同支持更细图形的成像。XT:1900Gi提供偏振照明,并结合瞳面能量分布控制,为不同掩模图形安排合适的成像条件。
设备面向300 mm晶圆,采用TWINSCAN双工作台。测量位置完成晶圆对准和表面信息采集,曝光位置进行浸没扫描,两个阶段交替衔接。
浸没部件参与整机运行
除激光源、镜头和工作台外,浸没液供给与回收也是设备组成。液体在镜头下方保持所需状态,随扫描过程运行,光刻胶及表面材料与浸没工艺配套。
剂量与掩模相关校正
平台成像工具包括DoseMapper剂量分布校正、掩模形状校正等,配合焦点监测处理晶圆面内的成像条件。具体机台的已装应用功能与相应软件配置一起列明。
XT:1900Gi浸没曝光核心数据
| 项目 | 参数或配置 |
|---|---|
| 激光类型 | ArF准分子激光 |
| 曝光波长 | 193 nm |
| 曝光类型 | 浸没式 |
| 最大数值孔径NA | 1.35 |
| 晶圆直径 | 300 mm |
| 平台与曝光方式 | TWINSCAN双工作台,步进扫描 |

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