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ASML XT:1400Ei属于193nm ArF浸没式光刻机，最大NA为0.93。双工作台将干式测量与浸没曝光分开，原厂路线图标注65nm分辨率，供相应浸没工艺层配置使用。
XT:1400Ei采用193 nm ArF浸没曝光，最大NA为0.93。镜头与晶圆之间设置浸没液层，型号公布的分辨率为65 nm。
测量在干式位置完成，曝光在浸没位置进行
TWINSCAN双工作台把对准、表面测量与实际曝光分开。待曝光晶圆先完成定位与高度信息采集，再进入浸没曝光位置；另一片晶圆可同时进行测量准备。
浸没曝光的组成
适合浸没使用的镜头、兼容晶圆台及液体基础设施共同参与运行。液体供给与回收配合扫描动作，焦点、剂量及照明参数组成对应成像条件。
XT:1400Ei适合承接与其光学能力匹配的ArF浸没工艺。二手设备的配置以实际镜头、工作台、测量及浸没组件为基础，型号保留完整Ei标识。
XT:1400Ei主要曝光信息
| 项目 | 参数或配置 |
|---|---|
| 光源与波长 | ArF，193 nm |
| 曝光类别 | 浸没式 |
| 最大数值孔径NA | 0.93 |
| 原厂路线图分辨率 | 65 nm |
| 平台 | TWINSCAN双工作台 |
| 测量与曝光 | 干式测量、浸没曝光 |
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