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XT:1250i采用193nm ArF浸没曝光,NA为0.85,原厂公布半节距分辨率70nm。ASML双工作台分开完成晶圆测量与湿式曝光,适合对应浸没工艺开发及图形转移。
XT:1250i在投影镜头与晶圆之间引入浸没液,以193 nm ArF光源完成扫描曝光。它的NA为0.85,原厂公布半节距分辨率为70 nm。
0.85 NA下的浸没成像
液层与相应光学配置改善焦深和成像条件,为浸没图形转移提供工艺空间。光刻胶及晶圆表面材料与液体接触,其处理条件也参与曝光制程。
双工作台保留干式测量过程。晶圆先在测量位置完成对准和表面信息采集,再进入浸没曝光位置,使测量与曝光分别执行。
XT:1250i可用于300 mm晶圆的相应浸没工艺验证及开发。二手机台包括激光、光学、工作台和液体处理组成,浸没部件与曝光配方一起匹配使用。
XT:1250i核心参数
| 项目 | 参数或配置 |
|---|---|
| 光源与波长 | ArF,193 nm |
| 曝光类型 | 浸没式扫描 |
| 数值孔径NA | 0.85 |
| 原厂公布半节距分辨率 | 70 nm |
| 晶圆应用平台 | 300 mm |
| 工作台 | TWINSCAN双工作台 |


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