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XT:1450通过偏振照明和高NA投影光学执行193nm干式光刻,原厂公布分辨率57nm。ASML双工作台组织测量与扫描曝光,适合相应ArF干式制程的设备增配和替换。
偏振照明是XT:1450的主要成像配置之一。AERIAL-P照明系统与高NA投影镜头配合,在193 nm干式条件下形成相应光场,原厂给出的分辨率指标为57 nm。
从掩模到晶圆的扫描曝光
掩模和晶圆同步扫描,光学系统缩小转移图形。完成一个曝光场后,晶圆台移动到下一位置,按工艺版图覆盖整片晶圆。
数值孔径可在0.65~0.93范围内调整,配合照明方式安排具体成像条件。对准、调平和镜头像差控制共同作用于图形位置与焦面,双工作台则将测量准备和曝光并行安排。
XT:1450的材料配套采用相应193 nm干式光刻胶,曝光过程没有镜头下方液层处理。激光源、照明、投影光学和测量部分配合,完成对应工艺层。
XT:1450 ArF干式曝光参数
| 项目 | 参数或配置 |
|---|---|
| 曝光光源 | ArF准分子激光 |
| 波长 | 193 nm |
| 曝光方式 | 干式,步进扫描 |
| 数值孔径NA | 0.65~0.93 |
| 公布分辨率 | 57 nm |
| 平台 | TWINSCAN双工作台 |

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