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XT:1250B以193nm激光执行干式扫描光刻，0.85 NA光学系统配合26×33mm曝光场和4倍缩小投影。二手ASML平台通过双工作台交替测量与曝光，衔接相应晶圆图形加工。
26×33 mm曝光场与1:4缩小投影，是XT:1250B的主要成像参数。设备使用193 nm ArF光源，在干式条件下完成晶圆图形转移。
光学成像与工作台运动配合
0.85 NA投影光学系统建立相应成像条件，掩模与晶圆同步扫描覆盖一个曝光场，再由工作台步进移动。照明、焦点和剂量按工艺配方组织，配合光刻胶形成所需图形。
双工作台使待曝光晶圆的测量和当前晶圆的曝光能够同时进行。对准信息决定图形位置，表面高度测量参与焦面控制，随后工作台交换位置进入下一阶段。
该型号的公开配置包括300 mm晶圆版本。二手XT:1250B的主要组成是激光、照明、投影光学、双工作台和搬送测量部分，按ArF干式光刻机介绍。
XT:1250B干式ArF核心数据
| 项目 | 参数或配置 |
|---|---|
| 光源与波长 | ArF，193 nm |
| 曝光方式 | 干式，步进扫描 |
| 最大NA | 0.85 |
| 投影缩小倍率 | 1:4 |
| 曝光场 | 26×33 mm |
| 公开型号晶圆配置 | 300 mm |
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