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SEN GSD-III 180覆盖2~180keV,原厂提供5、6、8英寸晶圆配置。偏转后加速结构拓宽了批量大束流工艺范围,可承接功率器件中的高能量、高剂量注入,也兼顾低剂量处理。
功率器件的部分掺杂工序同时需要较高注入能量和较高剂量。GSD-III 180针对这类任务扩展了大束流平台的能量范围,让部分由中束流设备承担的工序能够转入批量处理。
2~180keV与偏转后加速
NV-GSDⅢ-180的原厂能量范围为2~180keV。离子束经过偏转后再加速,将较宽能量范围与大束流输送结合。对于高能量、高剂量配方,大束流能力有助于缩短离子累积所需时间。
平台延续GSD系列的批量搬送和剂量控制,也覆盖低剂量工序。批量注入、低剂量控制及较高能量处理共同构成这款机型的应用范围。
5、6、8英寸晶圆版本
原厂列有三种晶圆尺寸配置。具体机台通过相应承载盘和搬送部件对应晶圆版本,二手选型需要将所装晶圆规格与生产线匹配。
GSD-III 180原厂平台核心数据
| 项目 | 产品信息 |
|---|---|
| 原厂型号 | NV-GSDⅢ-180 |
| 设备类别 | 大束流离子注入机 |
| 注入能量范围 | 2~180keV |
| 晶圆配置 | 5、6、8英寸版本 |
| 处理形式 | 批量式 |
| 束线结构 | 偏转后加速 |
| 应用特点 | 高能量、高剂量工序,并覆盖部分中束流和低剂量应用 |

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