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TePla 300去胶机覆盖光刻及刻蚀工序后的有机物清除,系列控制资料包含多步骤程序、自动恢复常压及真空待机功能。
300的工艺程序按气体、功率和持续时间分段组织,针对光刻胶、有机掩膜与表面残留安排不同处理步骤。微波在低压腔体内激发气体,活性物种与工件表面发生反应。
运行顺序
操作人员打开前门装入工件,选择程序后启动处理。程序运行包含抽气、气体及微波处理,结束后自动恢复常压,再开门取出。Idle模式可在待机期间保持处理腔真空。
300系列控制资料中,程序容量为最多100组,每组最多5步;数值键和方向键完成参数输入,功能键负责选择及运行。实机照片中的显示和按键布局与这一操作形式相对应。
去胶之外,300系列还承担光刻和刻蚀后的表面清理,以及有机层和掩膜去除。不同任务通过程序中的气体组合、功率和时间加以区分。
PVA TePla TECHNICS 300核心信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 品牌 | PVA TePla / TECHNICS |
| 型号 | 300 |
| 设备类别 | 微波等离子去胶设备 |
| 主要工艺 | 去胶、残胶处理、表面清洗 |
| 控制内容 | 工艺气体、功率、时间等程序条件 |
| 实机布局 | 前部观察窗腔门、右侧显示按键、下部机架 |

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