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多工艺管与逐管控制是THERMCO 5200的特点。三段独立加热配合长恒温区，可选干湿氧化、掺杂扩散、退火及相应薄膜沉积配置，二手设备可按所需炉管组合询价。
氧化、掺杂扩散和薄膜沉积需要不同的反应环境。THERMCO 5200通过多工艺管配置，将这些任务分配到相应炉管中，各管配套自己的工艺部件和控制单元。
各工艺管可以承担什么任务
| 工艺方向 | 平台列出的应用 |
|---|---|
| 氧化 | 干氧、湿氧及相关氧化工艺 |
| 掺杂扩散 | POCl₃、BBr₃相关处理 |
| LPCVD | 氮化硅、多晶硅、TEOS等 |
| 退火 | 形成气退火、低温退火或合金处理等 |
5200平台可配置2至4个工艺腔室，处理基片直径不超过150 mm，恒温区最长1100 mm。各项工艺为不同配置选择，不代表一根炉管同时具备全部用途。
温度控制分为三个独立加热区，管理炉管轴向热场。配方总览与逐管执行相结合，使不同炉管的任务、运行状态及维护安排可以分开管理。
装卸部分可配置升降和自动化方案，衔接晶舟与晶圆盒搬送。
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