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了解SAMCO AL-1的热原子层沉积工艺、开放式装载和氧化物薄膜方向。设备通过循环反应控制膜层生长，可对接GaN、SiC器件的栅绝缘膜及相关研发需求。
栅绝缘膜既要有合适的厚度，也需要覆盖器件表面的不同位置。SAMCO AL-1围绕这类需求提供热ALD沉积，通过分步表面反应生长氧化物薄膜，AlOx和SiO₂是原厂介绍的主要材料方向。
SAMCO AL-1核心数据
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 品牌及型号 | SAMCO AL-1 |
| 沉积技术 | 热原子层沉积（Thermal ALD） |
| 装载方式 | 开放式装载 |
| 原厂膜种方向 | AlOx、SiO₂ |
| 主要工艺特点 | 循环控制膜厚、复杂表面覆盖 |
| 典型研究方向 | GaN、SiC器件栅绝缘膜等 |
以循环反应管理膜层生长
反应物分时进入腔体，在清扫后切换下一步，再重复同一循环。与连续沉积相比，这种过程把膜厚控制细化到多个重复步骤，适合研究薄介质层及复杂表面的成膜行为。
AL-1的开放式装载结构便于开展不同样品和工艺的研发。GaN MOS器件及SiC MOS器件的栅氧化层，是原厂列出的应用方向；它们说明了设备的氧化物沉积能力，并不意味着设备只能加工这两类器件。
我们提供二手SAMCO AL-1，可按氧化物薄膜研究需求对应供源与工艺配置。
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