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EO ULA-200A功率器件激光退火设备,主要方向包括SiC欧姆接触中的镍硅化物形成与IGBT背面激活。激光光学、能量分布及晶圆承载共同构成对应工艺配置。
ULA-200A将激光热处理应用于功率器件,主要方向包括SiC欧姆接触中的镍硅化物形成,以及IGBT背面掺杂激活。这两类任务分别涉及接触界面反应和掺杂层处理。
SiC接触工艺
激光热作用促进镍层与SiC之间发生相应反应,形成目标接触结构。金属膜厚、表面洁净度与材料堆叠共同影响工艺条件,处理结果关注接触电阻和界面状态。
IGBT背面激活
背面掺杂层接受激光产生的热作用,完成相应激活。处理需要兼顾目标层与已有器件结构;对于减薄晶圆,承载、翘曲和搬送条件也参与照射过程。
ULA-200A平台还列有结晶功能,并提供不同波长与光学方案、光束整形及实时过程监测。激光能量分布与晶圆处理系统共同组成完整工艺条件。


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