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COSMO-Sinter通过加热与压力完成烧结，浮动机构补偿基板或芯片高度差。平台有40t、120t方案，最高温度350°C，并以薄膜保护和受控冷却衔接加工。
同一基板上的芯片如果存在高度差，刚性压头可能让各位置承受不同载荷。COSMO-Sinter通过浮动补偿管理这种差异，在加热、加压过程中维持合适的接合条件。
原厂平台包含40t单托盘和120t双托盘方向，120t版本可扩展至最多4个压机单元。最高温度为350°C，实际烧结温度和压力需与材料及接合面积配合。
高度补偿与冷却同样参与接合
液压浮动结构补偿基板厚度变化，芯片独立浮动方案则应对同一基板不同位置的高度差。薄膜辅助机构提供表面保护，冷却单元配合温度监测，减少加工后温度变化带来的应变。
氮气供应、氧浓度测量、脱气与独立烧结压力测量属于原厂选项，追溯及SECS/GEM也可按配置扩展。
COSMO-Sinter核心数据
| 项目 | 产品信息 |
|---|---|
| 工艺 | 热压烧结 |
| 平台压力方案 | 40t或120t机型 |
| 原厂最高温度 | 350°C |
| 材料承载 | 托盘与料盒 |
| 结构特点 | 浮动补偿、薄膜保护及冷却 |
| 可选功能 | 氮气、氧浓度监测、压力测量、追溯等 |
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